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基體資料的外表狀況是影響掩蓋才能的主要要素之一。實(shí)習(xí)標(biāo)明，金屬在不一樣基體資料上電堆積時，同一鍍液的掩蓋才能不一樣也很大。如用鉻酸溶液鍍鉻，金屬鉻在銅、鎳、黃銅和鋼上堆積時，鍍液的掩蓋才能順次遞減。這是因?yàn)楫?dāng)金屬離子在不一樣的基體資料上復(fù)原堆積時，其過電位的數(shù)值有很大的不一樣。過電位較小的分出電位較正，即便在電流密度較低的部位也能到達(dá)其分出電位的數(shù)值，因而其掩蓋才能較好。真空電鍍廠基體資料的外表狀況對掩蓋才能的影響比較復(fù)雜。

一般來說，同一鍍液在光潔度高的基體外表上掩蓋才能要比其在粗糙外表上的掩蓋才能好。因?yàn)橥獗矸e大，其實(shí)在電流密度較低，PVD電鍍報(bào)價，不易到達(dá)金屬的分出電位，而僅僅分出很多氫氣。別的，若是基體外表鍍前處置不良，存在沒有除盡的油膜、各種成相膜層或污物等，也將阻礙鍍層的堆積而使掩蓋才能下降。

真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料，使其蒸發(fā)并凝結(jié)于鍍件（金屬、半導(dǎo)體或絕緣體）表面而形成薄膜的一種方法。例如，真空鍍鋁、真空鍍鉻等。

離子鍍是結(jié)合真空蒸鍍和濺射鍍兩種技術(shù)而發(fā)展起來的沉積技術(shù)。在真空條件下，真空鍍膜廠采用適當(dāng)?shù)姆绞绞瑰兡げ牧险舭l(fā)，利用氣體放電使工作氣體和被蒸發(fā)物質(zhì)部分電離，在氣體離子和被蒸發(fā)物質(zhì)離子的轟擊下，蒸發(fā)物質(zhì)或其反應(yīng)產(chǎn)物在基體上沉積成膜。離子鍍的基本過程包括鍍膜材料的蒸發(fā)、離子化、離子加速、離子轟擊工件表面成膜。根據(jù)鍍膜材料不同的蒸發(fā)方式和氣體的離化方式，構(gòu)成了不同類型的離子鍍，汕尾PVD電鍍，下表是幾種主要的離子鍍。離子鍍具有鍍層與基體附著性能好、繞射性能好、可鍍材質(zhì)廣、沉積速率快等優(yōu)點(diǎn)。

表離子鍍的種類及其特點(diǎn)

直流放電法  電阻  輝光放電dc:0.1kv～5kv  惰性氣體1pa，0.25ma/cm2  結(jié)構(gòu)簡單，膜層結(jié)合力強(qiáng)，但鍍件溫升高，分散性差！

耐熱，潤滑等鍍件

弧光放電法  電子束、燈絲  弧光放電dc:100v高真空1.33x10-4pa  離化率高，易制成反應(yīng)膜，可在高真空下成膜，利于提高質(zhì)量  切削工具、金屬裝飾等鍍件

空心陰極法  空心陰極  等離子體電子束dc:0v～200v

惰性氣體或反應(yīng)氣體  離化率高，蒸發(fā)速度大，易獲得高純度膜層  裝飾、耐磨等鍍件

調(diào)頻激勵法  電阻、電子束  射頻電場13.56mhzdc:0.1kv～5kv

惰性氣體或反應(yīng)氣體  離化率高，PVD電鍍公司，膜層結(jié)合力強(qiáng)，鍍件溫升低，但分散性差  光學(xué)、半導(dǎo)體等鍍件

電場蒸發(fā)法  電子束  二次電子dc:1kv～5kv

與傳統(tǒng)化學(xué)鍍膜方法相比，真空鍍膜有很多優(yōu)點(diǎn)：如對環(huán)境無污 染，是綠色環(huán)保工藝；對操作者無傷害；膜層牢固、致密性好、抗腐蝕性強(qiáng)，膜厚均勻。真空鍍膜技術(shù)中經(jīng)常使用的方法主要有：蒸發(fā)鍍膜（包括電弧蒸發(fā)、電子qiang蒸發(fā)、電阻絲蒸發(fā)等技術(shù)）、濺射鍍膜（包 括直流磁控濺射、中頻磁控濺射、射頻濺射等技術(shù)），PVD電鍍廠家在哪，這些方法統(tǒng)稱物理氣相沉積，簡稱為PVD。與之對應(yīng)的化學(xué)氣相沉積，簡稱為CVD技術(shù)。行業(yè)內(nèi)通常所說的“IP”離子鍍膜，是因?yàn)樵赑VD技術(shù)中各種氣體離子和金屬離子參與成膜過程并起到重要作用，為了強(qiáng)調(diào)離子的作 用，而統(tǒng)稱為離子鍍膜。

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