硅橡膠材料的工頻擊穿屬于破壞性放電試驗，國標(biāo) GB/T16927.1-1997 針對破壞性放電試驗利用正態(tài)分布、韋伯分布和二重指數(shù)分布來實現(xiàn)數(shù)據(jù)分析。對于工程電介質(zhì)的擊穿強度，一般考慮的是韋伯分布。一般認(rèn)為硅橡膠材料的擊穿強度大約為 20kV/mm 左右，電場強度的增大會引起通過介質(zhì)的電流增大，溫度變化使得電阻率減小而產(chǎn)生的影響很小，最終引發(fā)擊穿。

智德創(chuàng)新儀器

硅橡膠材料的工頻擊穿屬于破壞性放電試驗，國標(biāo) GB/T16927.1-1997 針對破壞性放電試驗利用正態(tài)分布、韋伯分布和二重指數(shù)分布來實現(xiàn)數(shù)據(jù)分析。對于工程電介質(zhì)的擊穿強度，一般考慮的是韋伯分布。一般認(rèn)為硅橡膠材料的擊穿強度大約為 20kV/mm 左右，電場強度的增大會引起通過介質(zhì)的電流增大，溫度變化使得電阻率減小而產(chǎn)生的影響很小，最終引發(fā)擊穿。

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2012 年 10 月，清華大學(xué)的周遠(yuǎn)翔，侯非，劉睿等人采用針板電極結(jié)構(gòu)對高溫硫化硅橡膠做了工頻擊穿試驗，得出在 0~120℃的溫度范圍內(nèi)，硅橡膠的擊穿場強隨著溫度的升高呈線性規(guī)律下降，從 25℃到 90℃擊穿場強減少了 4%。2014 年 5 月，中國電力科學(xué)研究院的常文治，閻春雨，畢建剛等人采用平板電極結(jié)構(gòu)對具有局部缺陷的硅橡膠薄片施加工頻電壓，電壓上升到 18kV 并維持10min 后試品被擊穿，在材料內(nèi)部出現(xiàn)電樹枝形成黑色放電通道，并引發(fā)整個絕緣擊穿。硅橡膠中產(chǎn)生電樹枝直至擊穿的過程可以分為電樹枝起始及生長階段、滯長階段以及快速生長階段。

2012 年 10 月，清華大學(xué)的周遠(yuǎn)翔，侯非，劉睿等人采用針板電極結(jié)構(gòu)對高溫硫化硅橡膠做了工頻擊穿試驗，得出在 0~120℃的溫度范圍內(nèi)，硅橡膠的擊穿場強隨著溫度的升高呈線性規(guī)律下降，從 25℃到 90℃擊穿場強減少了 4%。2014 年 5 月，中國電力科學(xué)研究院的常文治，閻春雨，畢建剛等人采用平板電極結(jié)構(gòu)對具有局部缺陷的硅橡膠薄片施加工頻電壓，電壓上升到 18kV 并維持10min 后試品被擊穿，在材料內(nèi)部出現(xiàn)電樹枝形成黑色放電通道，并引發(fā)整個絕緣擊穿。硅橡膠中產(chǎn)生電樹枝直至擊穿的過程可以分為電樹枝起始及生長階段、滯長階段以及快速生長階段。